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GeneSiC Semiconductor / G2R1000MT17D

G2R1000MT17D

製造商零件編號: G2R1000MT17D
製造商: GeneSiC Semiconductor
部分說明: SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
數據表: G2R1000MT17D 數據表
無鉛狀態 / RoHS 狀態: 無鉛/符合 RoHS
庫存狀況: 有現貨
發貨地: Hong Kong
發貨方式: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

規格
類型 描述
系列G2R™
包裹Tube
零件狀態Active
場型N-Channel
技術SiCFET (Silicon Carbide)
漏源電壓 (vdss)1700 V
電流 - 持續消耗 (id) @ 25°c4A (Tc)
驅動電壓(最大 rds 開啟,最小 rds 開啟)20V
rds on (max) @ id, vgs1.2Ohm @ 2A, 20V
vgs(th) (max) @ id4V @ 2mA
柵極電荷 (qg) (max) @ vgs-
vgs(最大)+20V, -5V
輸入電容 (ciss) (max) @ vds139 pF @ 1000 V
FET 功能-
功耗(最大)53W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包TO-247-3
包裝/箱TO-247-3
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