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製造商零件編號: | G2R120MT33J |
製造商: | GeneSiC Semiconductor |
部分說明: | SIC MOSFET N-CH TO263-7 |
數據表: | G2R120MT33J 數據表 |
無鉛狀態 / RoHS 狀態: | 無鉛/符合 RoHS |
庫存狀況: | 有現貨 |
發貨地: | Hong Kong |
發貨方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
類型 | 描述 |
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系列 | G2R™ |
包裹 | Tube |
零件狀態 | Active |
場型 | N-Channel |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
漏源電壓 (vdss) | 3300 V |
電流 - 持續消耗 (id) @ 25°c | 35A |
驅動電壓(最大 rds 開啟,最小 rds 開啟) | 20V |
rds on (max) @ id, vgs | 156mOhm @ 20A, 20V |
vgs(th) (max) @ id | - |
柵極電荷 (qg) (max) @ vgs | 145 nC @ 20 V |
vgs(最大) | +25V, -10V |
輸入電容 (ciss) (max) @ vds | 3706 pF @ 1000 V |
FET 功能 | - |
功耗(最大) | - |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
供應商設備包 | TO-263-7 |
包裝/箱 | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |