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製造商零件編號: | SISF06DN-T1-GE3 |
製造商: | Vishay / Siliconix |
部分說明: | COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S |
無鉛狀態 / RoHS 狀態: | 無鉛/符合 RoHS |
庫存狀況: | 有現貨 |
發貨地: | Hong Kong |
發貨方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
類型 | 描述 |
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系列 | TrenchFET® Gen IV |
包裹 | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
零件狀態 | Active |
場型 | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
FET 功能 | Standard |
漏源電壓 (vdss) | 30V |
電流 - 持續消耗 (id) @ 25°c | 28A (Ta), 101A (Tc) |
rds on (max) @ id, vgs | 4.5mOhm @ 7A, 10V |
vgs(th) (max) @ id | 2.3V @ 250µA |
柵極電荷 (qg) (max) @ vgs | 45nC @ 10V |
輸入電容 (ciss) (max) @ vds | 2050pF @ 15V |
功率 - 最大 | 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
包裝/箱 | PowerPAK® 1212-8SCD |
供應商設備包 | PowerPAK® 1212-8SCD |