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| 製造商零件編號: | BSM300D12P3E005 |
| 製造商: | ROHM Semiconductor |
| 部分說明: | SILICON CARBIDE POWER MODULE. B |
| 數據表: | BSM300D12P3E005 數據表 |
| 無鉛狀態 / RoHS 狀態: | 無鉛/符合 RoHS |
| 庫存狀況: | 有現貨 |
| 發貨地: | Hong Kong |
| 發貨方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |

| 類型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | - |
| 包裹 | Bulk |
| 零件狀態 | Active |
| 場型 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 功能 | Silicon Carbide (SiC) |
| 漏源電壓 (vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 電流 - 持續消耗 (id) @ 25°c | 300A (Tc) |
| rds on (max) @ id, vgs | - |
| vgs(th) (max) @ id | 5.6V @ 91mA |
| 柵極電荷 (qg) (max) @ vgs | - |
| 輸入電容 (ciss) (max) @ vds | 14000pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1260W (Tc) |
| 工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Chassis Mount |
| 包裝/箱 | Module |
| 供應商設備包 | Module |
