Microsemi / APTM100DA18CT1G
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APTM100DA18CT1G
| 製造商零件編號: | APTM100DA18CT1G |
| 製造商: | Microsemi |
| 部分說明: | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 |
| 無鉛狀態 / RoHS 狀態: | 無鉛/符合 RoHS |
| 庫存狀況: | 有現貨 |
| 發貨地: | Hong Kong |
| 發貨方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- 評論
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規格
| 類型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | POWER MOS 8™ |
| 包裹 | Bulk |
| 零件狀態 | Obsolete |
| 場型 | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源電壓 (vdss) | 1000 V |
| 電流 - 持續消耗 (id) @ 25°c | 40A (Tc) |
| 驅動電壓（最大 rds 開啟，最小 rds 開啟） | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs | 216mOhm @ 33A, 10V |
| vgs(th) (max) @ id | 5V @ 2.5mA |
| 柵極電荷 (qg) (max) @ vgs | 570 nC @ 10 V |
| vgs（最大） | ±30V |
| 輸入電容 (ciss) (max) @ vds | 14800 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功耗（最大） | 657W (Tc) |
| 工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Chassis Mount |
| 供應商設備包 | SP1 |
| 包裝/箱 | SP1 |
庫存狀況: 當天發貨
最低限度: 1
| 數量 | 單價 | 分機 價錢 |
|---|---|---|
價格不可用，請詢價 |
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運費計算
聯邦快遞 40 美元。
3-5天到達
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