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| 製造商零件編號: | HTNFET-DC |
| 製造商: | Honeywell Aerospace |
| 部分說明: | MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
| 數據表: | HTNFET-DC 數據表 |
| 無鉛狀態 / RoHS 狀態: | 無鉛/符合 RoHS |
| 庫存狀況: | 有現貨 |
| 發貨地: | Hong Kong |
| 發貨方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |

| 類型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | HTMOS™ |
| 包裹 | Bulk |
| 零件狀態 | Active |
| 場型 | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源電壓 (vdss) | 55 V |
| 電流 - 持續消耗 (id) @ 25°c | - |
| 驅動電壓(最大 rds 開啟,最小 rds 開啟) | 5V |
| rds on (max) @ id, vgs | 400mOhm @ 100mA, 5V |
| vgs(th) (max) @ id | 2.4V @ 100µA |
| 柵極電荷 (qg) (max) @ vgs | 4.3 nC @ 5 V |
| vgs(最大) | 10V |
| 輸入電容 (ciss) (max) @ vds | 290 pF @ 28 V |
| FET 功能 | - |
| 功耗(最大) | 50W (Tj) |
| 工作溫度 | - |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 供應商設備包 | - |
| 包裝/箱 | 8-CDIP Exposed Pad |
