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                                    | 製造商零件編號: | FDMD86100 | 
| 製造商: | Rochester Electronics | 
| 部分說明: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 
| 數據表: | FDMD86100 數據表 | 
| 無鉛狀態 / RoHS 狀態: | 無鉛/符合 RoHS | 
| 庫存狀況: | 有現貨 | 
| 發貨地: | Hong Kong | 
| 發貨方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS | 

| 類型 | 描述 | 
|---|---|
| 系列 | PowerTrench® | 
| 包裹 | Bulk | 
| 零件狀態 | Active | 
| 場型 | 2 N-Channel (Dual) Common Source | 
| FET 功能 | Standard | 
| 漏源電壓 (vdss) | 100V | 
| 電流 - 持續消耗 (id) @ 25°c | 10A | 
| rds on (max) @ id, vgs | 10.5mOhm @ 10A, 10V | 
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250µA | 
| 柵極電荷 (qg) (max) @ vgs | 30nC @ 10V | 
| 輸入電容 (ciss) (max) @ vds | 2060pF @ 50V | 
| 功率 - 最大 | 2.2W | 
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 
| 安裝類型 | Surface Mount | 
| 包裝/箱 | 8-PowerWDFN | 
| 供應商設備包 | 8-Power 5x6 | 
庫存狀況: 1078
最低限度: 1
| 數量 | 單價 | 分機 價錢 | 
|---|---|---|
|   價格不可用,請詢價 | ||
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