圖片僅供參考,請聯繫我們獲取實物圖片
製造商零件編號: | EPC2108 |
製造商: | EPC |
部分說明: | GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA |
數據表: | EPC2108 數據表 |
無鉛狀態 / RoHS 狀態: | 無鉛/符合 RoHS |
庫存狀況: | 有現貨 |
發貨地: | Hong Kong |
發貨方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
類型 | 描述 |
---|---|
系列 | eGaN® |
包裹 | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
零件狀態 | Active |
場型 | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
FET 功能 | GaNFET (Gallium Nitride) |
漏源電壓 (vdss) | 60V, 100V |
電流 - 持續消耗 (id) @ 25°c | 1.7A, 500mA |
rds on (max) @ id, vgs | 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V |
vgs(th) (max) @ id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
柵極電荷 (qg) (max) @ vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
輸入電容 (ciss) (max) @ vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
功率 - 最大 | - |
工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
包裝/箱 | 9-VFBGA |
供應商設備包 | 9-BGA (1.35x1.35) |