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製造商零件編號: | SQJ262EP-T1_GE3 |
製造商: | Vishay / Siliconix |
部分說明: | MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 |
數據表: | SQJ262EP-T1_GE3 數據表 |
無鉛狀態 / RoHS 狀態: | 無鉛/符合 RoHS |
庫存狀況: | 有現貨 |
發貨地: | Hong Kong |
發貨方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
類型 | 描述 |
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系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
包裹 | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
零件狀態 | Active |
場型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET 功能 | Standard |
漏源電壓 (vdss) | 60V |
電流 - 持續消耗 (id) @ 25°c | 15A (Tc), 40A (Tc) |
rds on (max) @ id, vgs | 35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V |
vgs(th) (max) @ id | 2.5V @ 250µA |
柵極電荷 (qg) (max) @ vgs | 10nC @ 10V, 23nC @ 10V |
輸入電容 (ciss) (max) @ vds | 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V |
功率 - 最大 | 27W (Tc), 48W (Tc) |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
包裝/箱 | PowerPAK® SO-8 Dual |
供應商設備包 | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |