圖片僅供參考,請聯繫我們獲取實物圖片
製造商零件編號: | SIZ200DT-T1-GE3 |
製造商: | Vishay / Siliconix |
部分說明: | MOSFET N-CH DUAL 30V |
數據表: | SIZ200DT-T1-GE3 數據表 |
無鉛狀態 / RoHS 狀態: | 無鉛/符合 RoHS |
庫存狀況: | 有現貨 |
發貨地: | Hong Kong |
發貨方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
類型 | 描述 |
---|---|
系列 | TrenchFET® Gen IV |
包裹 | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
零件狀態 | Active |
場型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET 功能 | Standard |
漏源電壓 (vdss) | 30V |
電流 - 持續消耗 (id) @ 25°c | 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) |
rds on (max) @ id, vgs | 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V |
vgs(th) (max) @ id | 2.4V @ 250µA |
柵極電荷 (qg) (max) @ vgs | 28nC @ 10V, 30nC @ 10V |
輸入電容 (ciss) (max) @ vds | 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V |
功率 - 最大 | 4.3W (Ta), 33W (Tc) |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
包裝/箱 | 8-PowerWDFN |
供應商設備包 | 8-PowerPair® (3.3x3.3) |