+1(337)-398-8111 Live-Chat
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / GT30J121(Q)

GT30J121(Q)

製造商零件編號: GT30J121(Q)
製造商: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
部分說明: IGBT 600V 30A 170W TO3PN
無鉛狀態 / RoHS 狀態: 無鉛/符合 RoHS
庫存狀況: 有現貨
發貨地: Hong Kong
發貨方式: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
評論
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation GT30J121(Q) 可在chipnets.com 上獲得。我們只銷售新的和原件,並提供 1 年的保修期。如果您想了解更多關於產品的信息或申請更優惠的價格,請點擊在線聊天或發送報價給我們聯繫我們。
所有電子元件都將通過 ESD 抗靜電保護非常安全地包裝。

package

規格
類型 描述
系列*
包裹Tube
零件狀態Active
igbt類型-
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大值)600 V
電流 - 集電極 (ic) (max)30 A
電流 - 集電極脈衝 (icm)60 A
vce(on) (max) @ vge, ic2.45V @ 15V, 30A
功率 - 最大170 W
開關能量1mJ (on), 800µJ (off)
輸入類型Standard
柵極電荷-
td(開/關)@ 25°c90ns/300ns
測試條件300V, 30A, 24Ohm, 15V
反向恢復時間 (trr)-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包TO-3P(N)
購買選項

庫存狀況: 當天發貨

最低限度: 1

數量 單價 分機 價錢

價格不可用,請詢價

運費計算

聯邦快遞 40 美元。

3-5天到達

快遞:(FEDEX、UPS、DHL、TNT)訂單滿 150 美元前 0.5 公斤免運費,超重將另行收費

人氣款
Product

GT30J121(Q)

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Product

GT30J341,Q

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Top