圖片僅供參考,請聯繫我們獲取實物圖片
製造商零件編號: | SIA850DJ-T1-GE3 |
製造商: | Vishay / Siliconix |
部分說明: | MOSFET N-CH 190V 950MA PPAK |
數據表: | SIA850DJ-T1-GE3 數據表 |
無鉛狀態 / RoHS 狀態: | 無鉛/符合 RoHS |
庫存狀況: | 有現貨 |
發貨地: | Hong Kong |
發貨方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
類型 | 描述 |
---|---|
系列 | LITTLE FOOT® |
包裹 | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
零件狀態 | Obsolete |
場型 | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源電壓 (vdss) | 190 V |
電流 - 持續消耗 (id) @ 25°c | 950mA (Tc) |
驅動電壓(最大 rds 開啟,最小 rds 開啟) | 1.8V, 4.5V |
rds on (max) @ id, vgs | 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V |
vgs(th) (max) @ id | 1.4V @ 250µA |
柵極電荷 (qg) (max) @ vgs | 4.5 nC @ 10 V |
vgs(最大) | ±16V |
輸入電容 (ciss) (max) @ vds | 90 pF @ 100 V |
FET 功能 | Schottky Diode (Isolated) |
功耗(最大) | 1.9W (Ta), 7W (Tc) |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
供應商設備包 | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
包裝/箱 | PowerPAK® SC-70-6 Dual |