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製造商零件編號: | PMXB56ENZ |
製造商: | Rochester Electronics |
部分說明: | 30 V, N-CHANNEL TRENCH MOSFET |
數據表: | PMXB56ENZ 數據表 |
無鉛狀態 / RoHS 狀態: | 無鉛/符合 RoHS |
庫存狀況: | 有現貨 |
發貨地: | Hong Kong |
發貨方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
類型 | 描述 |
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系列 | - |
包裹 | Bulk |
零件狀態 | Active |
場型 | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源電壓 (vdss) | 30 V |
電流 - 持續消耗 (id) @ 25°c | 3.2A (Ta) |
驅動電壓(最大 rds 開啟,最小 rds 開啟) | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs | 55mOhm @ 3.2A, 10V |
vgs(th) (max) @ id | 2V @ 250µA |
柵極電荷 (qg) (max) @ vgs | 6.3 nC @ 10 V |
vgs(最大) | ±20V |
輸入電容 (ciss) (max) @ vds | 209 pF @ 15 V |
FET 功能 | - |
功耗(最大) | 400mW (Ta), 8.33W (Tc) |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
供應商設備包 | DFN1010D-3 |
包裝/箱 | 3-XDFN Exposed Pad |