圖片僅供參考,請聯繫我們獲取實物圖片
製造商零件編號: | GA20SICP12-247 |
製造商: | GeneSiC Semiconductor |
部分說明: | TRANS SJT 1200V 45A TO247AB |
數據表: | GA20SICP12-247 數據表 |
無鉛狀態 / RoHS 狀態: | 無鉛/符合 RoHS |
庫存狀況: | 有現貨 |
發貨地: | Hong Kong |
發貨方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
類型 | 描述 |
---|---|
系列 | - |
包裹 | Tube |
零件狀態 | Obsolete |
場型 | - |
技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
漏源電壓 (vdss) | 1200 V |
電流 - 持續消耗 (id) @ 25°c | 45A (Tc) |
驅動電壓(最大 rds 開啟,最小 rds 開啟) | - |
rds on (max) @ id, vgs | 50mOhm @ 20A |
vgs(th) (max) @ id | - |
柵極電荷 (qg) (max) @ vgs | - |
vgs(最大) | - |
輸入電容 (ciss) (max) @ vds | 3091 pF @ 800 V |
FET 功能 | - |
功耗(最大) | 282W (Tc) |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
供應商設備包 | TO-247AB |
包裝/箱 | TO-247-3 |