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ROHM Semiconductor / SCT2H12NYTB

SCT2H12NYTB

製造商零件編號: SCT2H12NYTB
製造商: ROHM Semiconductor
部分說明: SICFET N-CH 1700V 4A TO268
數據表: SCT2H12NYTB 數據表
無鉛狀態 / RoHS 狀態: 無鉛/符合 RoHS
庫存狀況: 有現貨
發貨地: Hong Kong
發貨方式: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

規格
類型 描述
系列-
包裹Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
零件狀態Active
場型N-Channel
技術SiCFET (Silicon Carbide)
漏源電壓 (vdss)1700 V
電流 - 持續消耗 (id) @ 25°c4A (Tc)
驅動電壓(最大 rds 開啟,最小 rds 開啟)18V
rds on (max) @ id, vgs1.5Ohm @ 1.1A, 18V
vgs(th) (max) @ id4V @ 410µA
柵極電荷 (qg) (max) @ vgs14 nC @ 18 V
vgs(最大)+22V, -6V
輸入電容 (ciss) (max) @ vds184 pF @ 800 V
FET 功能-
功耗(最大)44W (Tc)
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包TO-268
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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