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IR (Infineon Technologies) / IMW120R350M1HXKSA1
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IMW120R350M1HXKSA1
| 製造商零件編號: | IMW120R350M1HXKSA1 |
| 製造商: | IR (Infineon Technologies) |
| 部分說明: | SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3 |
| 數據表: | IMW120R350M1HXKSA1 數據表 |
| 無鉛狀態 / RoHS 狀態: | 無鉛/符合 RoHS |
| 庫存狀況: | 有現貨 |
| 發貨地: | Hong Kong |
| 發貨方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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規格
| 類型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | CoolSiC™ |
| 包裹 | Tube |
| 零件狀態 | Active |
| 場型 | N-Channel |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 漏源電壓 (vdss) | 1.2 kV |
| 電流 - 持續消耗 (id) @ 25°c | 4.7A (Tc) |
| 驅動電壓（最大 rds 開啟，最小 rds 開啟） | 15V, 18V |
| rds on (max) @ id, vgs | 455mOhm @ 2A, 18V |
| vgs(th) (max) @ id | 5.7V @ 1mA |
| 柵極電荷 (qg) (max) @ vgs | 5.3 nC @ 18 V |
| vgs（最大） | +23V, -7V |
| 輸入電容 (ciss) (max) @ vds | 182 pF @ 800 V |
| FET 功能 | - |
| 功耗（最大） | 60W (Tc) |
| 工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 供應商設備包 | PG-TO247-3-41 |
| 包裝/箱 | TO-247-3 |
購買選項
庫存狀況: 160
最低限度: 1
| 數量 | 單價 | 分機 價錢 |
|---|---|---|
價格不可用，請詢價 |
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運費計算
聯邦快遞 40 美元。
3-5天到達
快遞：（FEDEX、UPS、DHL、TNT）訂單滿 150 美元前 0.5 公斤免運費，超重將另行收費
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