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製造商零件編號: | FDP10N60NZ |
製造商: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
部分說明: | MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3 |
數據表: | FDP10N60NZ 數據表 |
無鉛狀態 / RoHS 狀態: | 無鉛/符合 RoHS |
庫存狀況: | 有現貨 |
發貨地: | Hong Kong |
發貨方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
類型 | 描述 |
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系列 | UniFET-II™ |
包裹 | Tube |
零件狀態 | Active |
場型 | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源電壓 (vdss) | 600 V |
電流 - 持續消耗 (id) @ 25°c | 10A (Tc) |
驅動電壓(最大 rds 開啟,最小 rds 開啟) | 10V |
rds on (max) @ id, vgs | 750mOhm @ 5A, 10V |
vgs(th) (max) @ id | 5V @ 250µA |
柵極電荷 (qg) (max) @ vgs | 30 nC @ 10 V |
vgs(最大) | ±25V |
輸入電容 (ciss) (max) @ vds | 1475 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功耗(最大) | 185W (Tc) |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
供應商設備包 | TO-220-3 |
包裝/箱 | TO-220-3 |
庫存狀況: 213
最低限度: 1
數量 | 單價 | 分機 價錢 |
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