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製造商零件編號: | SCTW90N65G2V |
製造商: | STMicroelectronics |
部分說明: | SICFET N-CH 650V 90A HIP247 |
數據表: | SCTW90N65G2V 數據表 |
無鉛狀態 / RoHS 狀態: | 無鉛/符合 RoHS |
庫存狀況: | 有現貨 |
發貨地: | Hong Kong |
發貨方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
類型 | 描述 |
---|---|
系列 | - |
包裹 | Tube |
零件狀態 | Active |
場型 | N-Channel |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
漏源電壓 (vdss) | 650 V |
電流 - 持續消耗 (id) @ 25°c | 90A (Tc) |
驅動電壓(最大 rds 開啟,最小 rds 開啟) | 18V |
rds on (max) @ id, vgs | 25mOhm @ 50A, 18V |
vgs(th) (max) @ id | 5V @ 250µA |
柵極電荷 (qg) (max) @ vgs | 157 nC @ 18 V |
vgs(最大) | +22V, -10V |
輸入電容 (ciss) (max) @ vds | 3300 pF @ 400 V |
FET 功能 | - |
功耗(最大) | 390W (Tc) |
工作溫度 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
安裝類型 | Through Hole |
供應商設備包 | HiP247™ |
包裝/箱 | TO-247-3 |
庫存狀況: 551
最低限度: 1
數量 | 單價 | 分機 價錢 |
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