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Rectron USA / RM4N650LD
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RM4N650LD
| 製造商零件編號: | RM4N650LD |
| 製造商: | Rectron USA |
| 部分說明: | MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252-2 |
| 無鉛狀態 / RoHS 狀態: | 無鉛/符合 RoHS |
| 庫存狀況: | 有現貨 |
| 發貨地: | Hong Kong |
| 發貨方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
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規格
| 類型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | - |
| 包裹 | Tape & Reel (TR) |
| 零件狀態 | Active |
| 場型 | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源電壓 (vdss) | 650 V |
| 電流 - 持續消耗 (id) @ 25°c | 4A (Tc) |
| 驅動電壓（最大 rds 開啟，最小 rds 開啟） | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs | 1.2Ohm @ 2.5A, 10V |
| vgs(th) (max) @ id | 3.5V @ 250µA |
| 柵極電荷 (qg) (max) @ vgs | - |
| vgs（最大） | ±30V |
| 輸入電容 (ciss) (max) @ vds | 280 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功耗（最大） | 46W (Tc) |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 供應商設備包 | TO-252-2 |
| 包裝/箱 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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