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IR (Infineon Technologies) / IPB35N10S3L26ATMA1

IPB35N10S3L26ATMA1

製造商零件編號: IPB35N10S3L26ATMA1
製造商: IR (Infineon Technologies)
部分說明: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
數據表: IPB35N10S3L26ATMA1 數據表
無鉛狀態 / RoHS 狀態: 無鉛/符合 RoHS
庫存狀況: 有現貨
發貨地: Hong Kong
發貨方式: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

規格
類型 描述
系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
包裹Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
零件狀態Active
場型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (vdss)100 V
電流 - 持續消耗 (id) @ 25°c35A (Tc)
驅動電壓(最大 rds 開啟,最小 rds 開啟)4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs26.3mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ id2.4V @ 39µA
柵極電荷 (qg) (max) @ vgs39 nC @ 10 V
vgs(最大)±20V
輸入電容 (ciss) (max) @ vds2700 pF @ 25 V
FET 功能-
功耗(最大)71W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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人氣款
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