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製造商零件編號: | SCTH35N65G2V-7 |
製造商: | STMicroelectronics |
部分說明: | SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7 |
無鉛狀態 / RoHS 狀態: | 無鉛/符合 RoHS |
庫存狀況: | 有現貨 |
發貨地: | Hong Kong |
發貨方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
類型 | 描述 |
---|---|
系列 | - |
包裹 | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
零件狀態 | Active |
場型 | N-Channel |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
漏源電壓 (vdss) | 650 V |
電流 - 持續消耗 (id) @ 25°c | 45A (Tc) |
驅動電壓(最大 rds 開啟,最小 rds 開啟) | 18V, 20V |
rds on (max) @ id, vgs | 67mOhm @ 20A, 20V |
vgs(th) (max) @ id | 3.2V @ 1mA |
柵極電荷 (qg) (max) @ vgs | 73 nC @ 20 V |
vgs(最大) | +22V, -10V |
輸入電容 (ciss) (max) @ vds | 1370 pF @ 400 V |
FET 功能 | - |
功耗(最大) | 208W (Tc) |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
供應商設備包 | H2PAK-7 |
包裝/箱 | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |