IR (Infineon Technologies) / IPI037N08N3GHKSA1
圖片僅供參考，請聯繫我們獲取實物圖片
IPI037N08N3GHKSA1
| 製造商零件編號: | IPI037N08N3GHKSA1 |
| 製造商: | IR (Infineon Technologies) |
| 部分說明: | MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3 |
| 數據表: | IPI037N08N3GHKSA1 數據表 |
| 無鉛狀態 / RoHS 狀態: | 無鉛/符合 RoHS |
| 庫存狀況: | 有現貨 |
| 發貨地: | Hong Kong |
| 發貨方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- 評論
- IR (Infineon Technologies) IPI037N08N3GHKSA1 可在chipnets.com 上獲得。我們只銷售新的和原件，並提供 1 年的保修期。如果您想了解更多關於產品的信息或申請更優惠的價格，請點擊在線聊天或發送報價給我們聯繫我們。
所有電子元件都將通過 ESD 抗靜電保護非常安全地包裝。
規格
| 類型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包裹 | Tube |
| 零件狀態 | Obsolete |
| 場型 | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源電壓 (vdss) | 80 V |
| 電流 - 持續消耗 (id) @ 25°c | 100A (Tc) |
| 驅動電壓（最大 rds 開啟，最小 rds 開啟） | 6V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs | 3.75mOhm @ 100A, 10V |
| vgs(th) (max) @ id | 3.5V @ 155µA |
| 柵極電荷 (qg) (max) @ vgs | 117 nC @ 10 V |
| vgs（最大） | ±20V |
| 輸入電容 (ciss) (max) @ vds | 8110 pF @ 40 V |
| FET 功能 | - |
| 功耗（最大） | 214W (Tc) |
| 工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 供應商設備包 | PG-TO262-3 |
| 包裝/箱 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
庫存狀況: 當天發貨
最低限度: 1
| 數量 | 單價 | 分機 價錢 |
|---|---|---|
價格不可用，請詢價 |
||
運費計算
聯邦快遞 40 美元。
3-5天到達
快遞：（FEDEX、UPS、DHL、TNT）訂單滿 150 美元前 0.5 公斤免運費，超重將另行收費
人氣款
 |
IR (Infineon Technologies) |
 |
Rochester Electronics |
 |
IR (Infineon Technologies) |
 |
IR (Infineon Technologies) |
 |
Rochester Electronics |
 |
IR (Infineon Technologies) |
 |
IR (Infineon Technologies) |
 |
Rochester Electronics |
 |
IR (Infineon Technologies) |
 |
IR (Infineon Technologies) |
加入購物車！
這件商品已經加入你的購物車了。