Vishay / Siliconix / SI7119DN-T1-GE3
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SI7119DN-T1-GE3
| 製造商零件編號: | SI7119DN-T1-GE3 |
| 製造商: | Vishay / Siliconix |
| 部分說明: | MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8 |
| 數據表: | SI7119DN-T1-GE3 數據表 |
| 無鉛狀態 / RoHS 狀態: | 無鉛/符合 RoHS |
| 庫存狀況: | 有現貨 |
| 發貨地: | Hong Kong |
| 發貨方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- 評論
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規格
| 類型 | 描述 |
|---|---|
| 系列 | TrenchFET® |
| 包裹 | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| 零件狀態 | Active |
| 場型 | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源電壓 (vdss) | 200 V |
| 電流 - 持續消耗 (id) @ 25°c | 3.8A (Tc) |
| 驅動電壓（最大 rds 開啟，最小 rds 開啟） | 6V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs | 1.05Ohm @ 1A, 10V |
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250µA |
| 柵極電荷 (qg) (max) @ vgs | 25 nC @ 10 V |
| vgs（最大） | ±20V |
| 輸入電容 (ciss) (max) @ vds | 666 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功耗（最大） | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| 工作溫度 | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 供應商設備包 | PowerPAK® 1212-8 |
| 包裝/箱 | PowerPAK® 1212-8 |
庫存狀況: 3003
最低限度: 1
| 數量 | 單價 | 分機 價錢 |
|---|---|---|
價格不可用，請詢價 |
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運費計算
聯邦快遞 40 美元。
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