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製造商零件編號: | NSV40300MDR2G |
製造商: | Rochester Electronics |
部分說明: | LOW VCE(SAT) TRANSISTOR, DUAL PN |
數據表: | NSV40300MDR2G 數據表 |
無鉛狀態 / RoHS 狀態: | 無鉛/符合 RoHS |
庫存狀況: | 有現貨 |
發貨地: | Hong Kong |
發貨方式: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
類型 | 描述 |
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系列 | - |
包裹 | Bulk |
零件狀態 | Active |
晶體管型 | 2 PNP (Dual) |
電流 - 集電極 (ic) (max) | 3A |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大值) | 40V |
vce 飽和度 (max) @ ib, ic | 170mV @ 200mA, 2A |
電流 - 集電極截止(最大值) | 100nA (ICBO) |
直流電流增益 (hfe) (min) @ ic, vce | 180 @ 1A, 2V |
功率 - 最大 | 653mW |
頻率 - 過渡 | 100MHz |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
包裝/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
供應商設備包 | 8-SOIC |